2009年天津大学硕士研究生微电子复试笔试试题
一．PN结的击穿机理有哪几种，如何区分？
二．简述双极晶体管的开关过程。
三．MOS阈值电压的定义是什么，写出表达式，并分析影响因素。
四．NMOS工作原理，写出其电流电压方程，并分析影响因素
五．给出CMOS PTAT电路图，分析其工作原理
六．电路设计
1.ABCD
2 .(EF)AB
七．双极集成电路中的寄生效应有哪些？
八．简述SBD和普通二极管的区别
九． 画出ECL电路的基本门-或/或非门电路图，并简要简述工作原理
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