16699-2012年天津大学硕士研究生微电子复试笔试试题

2012年天津大学硕士研究生微电子复试笔试试题

一.两道英语小题,和2013年的类似,读的懂单词的话就会做了

二. 1.什么是MOSFET的短沟道效应,有什么影响

2.什么是MOSFET的亚阈值电导

3.什么是MOSFET的跨导,表达式是什么

4.什么是自锁效应,产生的条件是什么

三.大扇入电路的优化措施

四. 画出BJT四种工作状态下的发射区,基区,集电区的少子分布

五. 画出ECL电路的基本门-或/或非门电路图,并简要简述工作原理,电流开关部分两个集电极电阻为何不等?

六. 双极集成电路中的寄生效应有哪些?

七. 与2013年第七题同


免责声明:本站所有的内容均来源于互联网采集或网友投稿提供,不能保证内容的真实性、完整性,仅供个人研究、交流学习使用,不涉及任何商业盈利目的。如果资料有误与官方发布不一致,请与官方最新发布为准,请联系本站管理员予以更改,如果涉及版权等问题,请联系本站管理员予以删除。
维权指引 | 权限说明 | 下载说明 | 内容投诉
考研云分享 » 16699-2012年天津大学硕士研究生微电子复试笔试试题
您需要 登录账户 后才能发表评论

发表评论

欢迎 访客 发表评论

加入会员,每天进步一点点
·会员权限 ·加网盘群 ·加微信群