2015年天津大学硕士研究生微电子复试笔试试题
一．选择
1. 关于CMOS
2. 关于动态反向器的完整性问题：四点 1电荷泄漏 2电荷分享 3电容耦合 4时钟贯通
二. 名词解释
建立时间，维持时间，时钟偏差，时钟抖动
三. 解释CMOS电路为什么对时间偏差不敏感？
四．电路设计
1.F------D
2.反向锁存器电路图
3.两输入CMOS与非门；三输入CMOS或非门
五．双极晶体管基区参入SiGe相对于普通基区Si的好处
六．常规直接带隙与间接带隙半导体哪个更适合做光电材料
七．激光产生的条件。用英语说的只要认识laser激光器这个词就可以，建议最好看赵毅强老师那本书里面的英文翻译
八．光电池一般用什么材料？衡量光电池的最重要指标是？什么参数与这个指标直接相关。
九．杂质光吸收与本征光吸收哪个吸收的光波波长长，为什么？
十．大扇入电路的优化
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